ALD 鍍膜 機

ALD

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ALD原子層沉積技術及應用 · 沉積速率慢：ALD的每一層成長速率約0.1~1秒，厚度約1~2 Å，每一個鍍膜循環週期(Cycle duration)約數秒至1分鐘。由於ALD具有自我侷限的特性，其 ...

ALD機台

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每部ALD都具備6個腔體位置，與EFEM高度整合 · 可依客戶需求選擇腔體配置，高度客製化 · 可選配treatment chamber，有效進行ALD deposition的pre-treatment or post treatment ...

Picosun ALD 原子層沉積系統P

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原子層薄膜沉積鍍膜(ALD) 代工. Picosun ALD原子層薄膜沉積. P-300F 群集式. PICOSUN™ P-300F ALD系統專用於生產微處理器、記憶體和硬碟等IC部件及製造功率電子晶片、混合 ...

原子层沉积（ALD）镀膜机

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ALD设备提供创新和灵活的设计，为MEMS和复杂的3D表面沉积高质量的光学薄膜，显着提高镀膜产品的性能和使用寿命，设备运行速度快、可靠性高且极易维护。

原子層沉積系統

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原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是可以被用來替換CVD、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)和濺鍍技術的新製程。原子層沉積也是化學氣相沉積技術(CVD)的一種，其 ...

原子層沉積系統原理及其應用

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由於依序性的氣體引進方式、飽和吸附與自我. 限制的鍍膜機制，使原子層沉積(ALD) 擁有優異. 的階梯覆蓋率、良好的薄膜均勻性、精確的膜厚控. 制、傑出的製程穩定度、低溫 ...

原子層鍍膜系統

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SVTA公司提供RD型原子層沉積ALD系統，可對應OD 8英吋的基板，全系統採用熱壁式反應腔體設計(hot-wall design)，可有效增加反應合成機率.

批次ALD(原子層)鍍膜設備

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平面單片/卡夾多片之LOAD-LOCK CST IN/OUT 高產量製程設備. 加熱與電漿化學氣相沈積雙鍍膜方案,可獲得高均勻性與保型性的超薄薄膜. 100% 保型,精確的厚度控制, ...

矽碁科技股份有限公司

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原子層沉積（ALD）為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。通過ALD循環的次數， ...

複合式原子層鍍膜設備技術

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